Promotion - Physikalisches Verständnis von Designelementen in SiC Power MOSFETs

Über die Position

Als Promotionskandidat*in bei Bosch in Renningen arbeiten Sie an der physikalischen Analyse und Optimierung von SiC‑Power‑MOSFET‑Designelementen. Sie tragen dazu bei, die nächste Generation energieeffizienter Leistungselektronik zu realisieren.

Hauptaufgaben

• Entwicklung und Simulation von Wide‑Bandgap‑Leistungsbauelementen und zugehörigen Teststrukturen.
• Durchführung moderner TCAD‑Simulationen zur detaillierten Analyse physikalischer Eigenschaften.
• Herstellung von Bauelementen und Teststrukturen im firmeneigenen Forschungs‑Cleanroom.
• Umfassende elektrische und physikalische Charakterisierung der gefertigten Komponenten.
• Kontinuierliche Optimierung und Kalibrierung der Simulationsmodelle auf Basis der Messergebnisse.

Anforderungsprofil

• Abgeschlossenes Master‑ oder Diplom‑Studium in Physik, Elektrotechnik oder einem vergleichbaren Fach mit hervorragenden Leistungen.
• Sehr gute Kenntnisse in Festkörper‑ und Leistungshalbleiterphysik sowie -technologie.
• Erfahrung in der Halbleiter‑Modellierung, idealerweise mit Wide‑Bandgap‑ oder III‑V‑Materialien.
• Strukturiertes, analytisches Denken und Fähigkeit, komplexe Zusammenhänge zu durchdringen.
• Verhandlungssichere Englischkenntnisse; Deutschkenntnisse wünschenswert.

Erforderliche Kenntnisse

• TCAD‑Simulationen von Halbleiterbauelementen.
• Modellierung von Wide‑Bandgap‑Halbleitern (z. B. SiC).
• Cleanroom‑Prozesse zur Fertigung von Power‑Devices.
• Charakterisierungsmethoden für elektrische und physikalische Eigenschaften.

Was wir bieten

• Ein innovatives Forschungsumfeld bei einem weltweit führenden Technologieunternehmen.
• Zugang zu modernster Messtechnik und Simulationssoftware.
• Möglichkeit, aktiv an der Reduktion von CO₂‑Emissionen und Ressourcenschonung mitzuwirken.